光電測距類傳感器TURCK結構分析

通常把光電效應分為3 類:(1 )在光線作用下能使電子逸出物體表面的現(xiàn)象稱為外光電效應，如光電管、光電倍增管等;(2 )在光線作用下能使物體的電阻率改變的現(xiàn)象稱為內(nèi)光電效應，如光敏電阻、光敏晶體管等;(3 )在光線作用下，物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象稱為光生伏應，如光電池等。

工作電壓UB 10…30  VDC

紋波電壓Uss ≤ 10 % UBmax

額定直流工作電流Ie ≤ 200 mA

空載電流 ≤ 25  mA

對射式－光縫：對于對射式光電傳感器，在檢測小的部件或進行定位時，其有效光束可能會太大以致不能進行可靠檢測。

在這種情況下，可以給傳感器加裝光縫來減小有效光束的尺寸。

光縫會減小發(fā)射光束的尺寸：安裝光縫會減小通過鏡頭的光的能量（光縫越小，通過的光就越少）。

例如：直徑 20mm 的鏡頭安裝上帶一孔的光縫后，則通過此孔的光的能量僅為原來的(1/4) 或1/16，如果發(fā)射器和接收器都安裝了光縫，則光的能量會損失雙倍。

矩形光縫與同尺寸的圓孔形光縫相比，其鏡頭接收光的區(qū)域較大。

因此，如果被測物通過光束的方向是一定的，則優(yōu)先選用矩形光縫（如邊沿檢測）。如果小的被測物通過光束的方向不是固定的，則優(yōu)先選用圓形光縫。

在使用對射式傳感器檢測小物體時，一方面要有效光束的尺寸必須小于被測物的尺寸，同時要使鏡頭保留盡可

能大的可視區(qū)域，以足夠的檢測距離。

漏電流 ≤ 0.1 mA

隔離測試電壓 0.5 kV

短路保護 是/循環(huán)

Ie時的壓降 ≤ 1.8 V

斷線/反極性保護 是/是

輸出性能 3線, 常開觸點, NPN

直流磁場穩(wěn)定性 300 mT

交流電磁場穩(wěn)定性 300 mTSS

防護等級 ÷

開關頻率 1.5 kHz

把被測量的變化轉(zhuǎn)換成光信號的變化，然后借助光電元件進一步將非電信號轉(zhuǎn)換成電信號。光電效應是指用光照射某一物體，可以看作是一連串帶有一定能量為的光子轟擊在這個物體上，此時光子能量就傳遞給電子，并且是一個光子的全部能量一次性地被一個電子所吸收，電子得到光子傳遞的能量后其狀態(tài)就會發(fā)生變化，從而使受光照射的物體產(chǎn)生相應的電效應。

圖爾克接近開關 turck BI1,5-EG08K-AN6X-H1341圖爾克接近開關 turck BI2U-EG08-AP6X-H1341
圖爾克接近開關 turck BI2U-EGT08-AP6X-H1341圖爾克接近開關 turck BI2U-EG08-RP6X-H1341
圖爾克接近開關 turck BI2U-EG08-AN6X-H1341圖爾克接近開關 turck BI2-EG08-AP6X-H1341
圖爾克接近開關 turck BI1-EG05-AN6X圖爾克接近開關 turck BI2-M12-AD4X-H1141
圖爾克接近開關 turck BI4-M12E-AP6X-H1141圖爾克接近開關 turck BI2-M12E-AP6X-H1141
圖爾克接近開關 turck BI2-M12E-AN6X-H1141圖爾克接近開關 turck BI3U-M12EE-AP6X-H1141
圖爾克接近開關 turck NI5-M12-Y1X-H1141圖爾克接近開關 turck NI5-EM12-Y1X-H1141
圖爾克接近開關 turck NI4-M12-AP6X-H1141圖爾克接近開關 turck BI4U-M12-AP6X
圖爾克接近開關 turck BI4U-M12-AN6X圖爾克接近開關 turck BI4-M12-AP6X
圖爾克接近開關 turck BI2-G12K-AP6X圖爾克接近開關 turck BI2-G12K-AN6X
圖爾克接近開關 turck BI2-M12-AN6X圖爾克接近開關 turck NI5-G12-Y1X
圖爾克接近開關 turck BI3-G12K-AD4X圖爾克接近開關 turck BI2-G12-Y1X
圖爾克接近開關 turck BI2-M12-AD4X圖爾克接近開關 turck BI4-M12-AN6X
圖爾克接近開關 turck NI5-G12K-AP6X圖爾克接近開關 turck NI5-G12K-AN6X
圖爾克接近開關 turck NI4-M12-AP6X圖爾克接近開關 turck NI4-M12-AN6X
圖爾克接近開關 turck BI2-G12SK-Y1X圖爾克接近開關 turck BI2-EG12SK-Y1X

光電測距類傳感器TURCK結構分析